收藏本站
Si5468DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.0 8
0.06
I D = 6. 8 A
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.04
0.02
0.00
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
1.9
1. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Forward Diode Voltage vs. Temperature
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
40
30
20
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
0.1
Limited by R DS(on) *
T A = 25 °C
Single P u lse
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
100 s
Time (s)
Single Pulse Power
DC
BVDSS Limited
0.01
www.vishay.com
4
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 69072
S09-0316-Rev. A, 02-Mar-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5475BDC-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
SI5480DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5481DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5482DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
SI5484DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5485DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5499DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
SI5504DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
相关代理商/技术参数
SI54-6R8 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI5471DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5471DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET -20V 20mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5473DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5473DC-T1 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5473DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5473DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5475BDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 6.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube